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Browsing by Author 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro)

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Title Other Titles	Author(s) Language (ISO)	Journal Title Issue Date	NDC Preview
In situ observation of composition profiles in the solution by X-ray penetration method -	Hayakawa, Yasuhiro; Hikida, Takuya; Morii, Hisashi; Konno, Akiko; Chen, Chung-Hao; Arafune, Koji; Kawai, Hideki; Koyama, Tadanobu; Momose, Yoshimi; Ozawa, Tetsuo; Aoki, Toru eng	Journal of Crystal Growth 2008-04	549
In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 -	興津, 和彦; 早川, 泰弘; 平田, 彰; 今石, 宣之; 橘, 正人; 岡野, 泰則; 山口, 十六夫; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1994-07-05	549
In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method -	Rajesh, G.; Arivanandhan, M.; Morii, H.; Aoki, T.; Koyama, T.; Momose, Y.; Tanaka, A.; Ozawa, T.; Inatomi, Y.; Hayakawa, Yasuhiro eng	Journal of Crystal Growth 2010-09-15	549
InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長: エピキタシャル成長IV Growth of In_xGa_<1-x> As on compositions converted InAs substrates	永井, 洋希; 飯田, 晋; 小山, 忠信; 熊川, 征司; 早川, 泰弘; バラクリシュナン jpn	日本結晶成長学会誌 2002-07-01	549
Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy -	Zhang, G.; Jayavel, P.; Koyama, Tadanobu; Kumagawa, Masashi; Hayakawa, Yasuhiro eng	Journal of Applied Physics 2004-12-27	541
InGaAs/GaAsヘテロエピキタシー -	菊澤, 充男; 柳田, 浩行; 早川, 泰弘; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1994-07-05	549
InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 -	早川, 泰弘; 小澤, 哲夫; 安藤, 正彦; 中野, 学; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1992-06-25	549
InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 -	安藤, 正彦; 小澤, 哲夫; 早川, 泰弘; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1992-06-25	549
InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II) Numerical Analysis on Gravity Effect during Growth of InGaSb Crystal	小澤, 哲夫; 村上, 倫章; 鈴木, 崇之; 新船, 幸二; 岡野, 泰則; 早川, 泰弘; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 2003-07-05	549
InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I) Numerical Study on Dissolution Process during Growth of InGaSb Crystal	村上, 倫章; 木村, 忠; 新船, 幸二; 小澤, 哲夫; 岡野, 泰則; 早川, 泰弘; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 2003-07-05	549
InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 -	早川, 泰弘; 名倉, 雅彦; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1987-07-10	549
InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 (II) -	熊川, 征司; 名倉, 雅彦; 祖父江, 哲也; 早川, 泰弘 jpn	日本結晶成長学会誌 1988-07-10	549
InSb引上げ結晶のfacet-off facet境界領域における不純物濃度分布の計算機シミュレーション -	早川, 泰弘; 石川, 賢司; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1986-07-10	549
InSb引上げ結晶中の微視的成長速度と不純物濃度 -	早川, 泰弘; 石川, 賢司; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1986-07-10	549
InSb基板中へのGa高速混入機構 Mechanism of Rapid Diffusion of Ga into InSb Substrate	早川, 泰弘; 大津, 弘毅; 正木, みゆき; 高橋, 克巳; 小山, 忠信; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1997-07-01	549
InSb結晶中へのGaの高速拡散とInの析出: 半導体液相成長I Rapid Diffusion of Ga into InSb and precipitation of In	熊川, 征司; 浜川, 恵美; 大津, 弘毅; 小山, 忠信; 早川, 泰弘 jpn	日本結晶成長学会誌 1995-07-10	549
LPE成長での原料溶液対流の数値計算 -	麻川, 和裕; 早川, 泰弘; 中山, 顕; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1990-07-20	549
LPE法によるIn_xGa_<1-x>Sb厚膜結晶成長と電流偏析効果 -	熊川, 征司; 山下, 圭一; 早川, 泰弘 jpn	日本結晶成長学会誌 1991-07-25	549
(Nd_<1/3>Eu_<1/3>Gd_<1/3>)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長: 溶液成長II Construction of Phase Diagnm of (Nd_<1/3>Eu_<1/3>Gd_<1/3>)Ba_2Cu_3O_x-Ba_3Cu_<10>O_<13> and Crystallization	鳥居, 尚哉; 村井, 崇志; 森, 徹; 熊川, 征司; 早川, 泰弘; Aswal, D.K. jpn	日本結晶成長学会誌 2002-07-01	549
NdBa_2Cu_3O_x結晶成長のその場観察: 結晶成長のその場観察II Direct observation of NdBa_2Cu_3Ox crystallization	新村, 光世; 小山, 忠信; 早川, 泰弘; Aswal, D.K.; 熊川, 征司 jpn	日本結晶成長学会誌 1998-07-01	549

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