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タイトル: A Submicrometer Lifted Diffused-Layer MOSFET
著者: Inokawa, Hiroshi
Kobayashi, Toshio
Kiuchi, Kazuhide
掲載誌名: Electron Device Letters
出版者: Institute of Electrical and Electronics Engineers
巻: 8
号: 3
開始ページ: 98
終了ページ: 100
出版日付: 1987-03
権利: (c)1987 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.
NDC: 540
ISSN: 07413106 OPAC
E-ISSN: 07413106 OPAC
出版者DOI: 10.1109/EDL.1987.26565   
NII書誌ID: AA00231428 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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