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Title: 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
Other Titles: 01aA02 Growth of homogeneous InGaSb crystals using heat pulse technique(NCCG-36)
Authors: 疋田, 卓也
村上, 倫章
小山, 忠信
百瀬, 与志美
熊川, 征司
早川, 泰弘
Journal Title: 日本結晶成長学会誌
Publisher: 日本結晶成長学会
Journal Volume: 33
Journal Issue: 4
Start Page: 178
End Page: 178
Issue Date: 2006-11-01
Rights: (C)日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC: 549
ISSN: 03856275 OPAC
Article NAID: 110006208536 ciniia
Journal NCID: AN00188386 OPAC ciniib
Textversion: publisher
Appears in Collections:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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Others By: 疋田, 卓也 -- 村上, 倫章 (ムラカミ, ノリアキ) (Murakami, Noriaki) -- 小山, 忠信 (コヤマ, タダノブ) (Koyama, Tadanobu) -- 百瀬, 与志美 (モモセ, ヨシミ) (Momose, Yoshimi) -- 熊川, 征司 (クマガワ, マサシ) (Kumagawa, Masashi) -- 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro)

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