01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)

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Title:	01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
Other Titles:	01aA02 Growth of homogeneous InGaSb crystals using heat pulse technique(NCCG-36)
Authors:	疋田, 卓也村上, 倫章小山, 忠信百瀬, 与志美熊川, 征司早川, 泰弘
Journal Title:	日本結晶成長学会誌
Publisher:	日本結晶成長学会
Journal Volume:	33
Journal Issue:	4
Start Page:	178
End Page:	178
Issue Date:	2006-11-01
Rights:	（Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC:	549
ISSN:	03856275
Article NAID:	110006208536
Journal NCID:	AN00188386
Textversion:	publisher
Appears in Collections:	21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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