InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)

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Title:	InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
Other Titles:	Numerical Analysis on Gravity Effect during Growth of InGaSb Crystal
Authors:	小澤, 哲夫村上, 倫章鈴木, 崇之新船, 幸二岡野, 泰則早川, 泰弘熊川, 征司
Journal Title:	日本結晶成長学会誌
Publisher:	日本結晶成長学会
Journal Volume:	30
Journal Issue:	3
Start Page:	54
End Page:	54
Issue Date:	2003-07-05
Rights:	（Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC:	549
ISSN:	03856275
Article NAID:	110002715887
Journal NCID:	AN00188386
Textversion:	publisher
Appears in Collections:	21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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