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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10297/2760
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Title: InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
Other Titles: Numerical Study on Dissolution Process during Growth of InGaSb Crystal
Authors: 村上, 倫章
木村, 忠
新船, 幸二
小澤, 哲夫
岡野, 泰則
早川, 泰弘
熊川, 征司
Journal Title: 日本結晶成長学会誌
Publisher: 日本結晶成長学会
Journal Volume: 30
Journal Issue: 3
Start Page: 53
End Page: 53
Issue Date: 2003-07-05
Rights: (C)日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC: 549
ISSN: 03856275 OPAC
Article NAID: 110002715886 ciniia
Journal NCID: AN00188386 OPAC ciniib
Textversion: publisher
Appears in Collections:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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Others By: 村上, 倫章 (ムラカミ, ノリアキ) (Murakami, Noriaki) -- 木村, 忠 (キムラ, タダシ) (Kimura, Tadashi) -- 新船, 幸二 (アラフネ, コウジ) (Arafune, Kouji) -- 小澤, 哲夫 (オザワ, テツオ) (Ozawa, Tetsuo) -- 岡野, 泰則 (オカノ, ヤスノリ) (Okano, Yasunori) -- 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro) -- 熊川, 征司 (クマガワ, マサシ) (Kumagawa, Masashi)

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