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タイトル: InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
その他のタイトル: Growth of In_xGa_<1-x> As on compositions converted InAs substrates
著者: 永井, 洋希
飯田, 晋
小山, 忠信
熊川, 征司
早川, 泰弘
バラクリシュナン
掲載誌名: 日本結晶成長学会誌
出版者: 日本結晶成長学会
巻: 29
号: 2
開始ページ: 46
終了ページ: 46
出版日付: 2002-07-01
権利: (C)日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC: 549
ISSN: 03856275 OPAC
NII論文ID: 110002715573 ciniia
NII書誌ID: AN00188386 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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