InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長: エピキタシャル成長IV

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Title:	InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長: エピキタシャル成長IV
Other Titles:	Growth of In_xGa_<1-x> As on compositions converted InAs substrates
Authors:	永井, 洋希飯田, 晋小山, 忠信熊川, 征司早川, 泰弘バラクリシュナン
Journal Title:	日本結晶成長学会誌
Publisher:	日本結晶成長学会
Journal Volume:	29
Journal Issue:	2
Start Page:	46
End Page:	46
Issue Date:	2002-07-01
Rights:	（Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC:	549
ISSN:	03856275
Article NAID:	110002715573
Journal NCID:	AN00188386
Textversion:	publisher
Appears in Collections:	21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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