InSb基板中へのGa高速混入機構

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Title:	InSb基板中へのGa高速混入機構
Other Titles:	Mechanism of Rapid Diffusion of Ga into InSb Substrate
Authors:	早川, 泰弘大津, 弘毅正木, みゆき高橋, 克巳小山, 忠信熊川, 征司
Journal Title:	日本結晶成長学会誌
Publisher:	日本結晶成長学会
Journal Volume:	24
Journal Issue:	2
Start Page:	227
End Page:	227
Issue Date:	1997-07-01
Rights:	（Ｃ）日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC:	549
ISSN:	03856275
Article NAID:	110002714936
Journal NCID:	AN00188386
Textversion:	publisher
Appears in Collections:	21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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Others By: 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro) -- 大津, 弘毅 -- 正木, みゆき -- 高橋, 克巳 -- 小山, 忠信 (コヤマ, タダノブ) (Koyama, Tadanobu) -- 熊川, 征司 (クマガワ, マサシ) (Kumagawa, Masashi)