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タイトル: 23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)
その他のタイトル: 23aB8 Investigation of formation of the InGaAs bridge layer on Patterned GaAs Substrates
著者: 飯田, 晋
小山, 忠信
早川, 泰弘
熊川, 征司
掲載誌名: 日本結晶成長学会誌
出版者: 日本結晶成長学会
巻: 26
号: 2
開始ページ: 93
終了ページ: 93
出版日付: 1999-07-01
権利: (C)日本結晶成長学会: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
NDC: 549
ISSN: 03856275 OPAC
NII論文ID: 110002769177 ciniia
NII書誌ID: AN00188386 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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Others By: 飯田, 晋 (イイダ, ススム) (Iida, Susumu) -- 小山, 忠信 (コヤマ, タダノブ) (Koyama, Tadanobu) -- 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro) -- 熊川, 征司 (クマガワ, マサシ) (Kumagawa, Masashi)

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