Shizuoka University REpository  title image 
morning
day
evening
night
shizuppy
 

SURE: Shizuoka University REpository >
21. 電子工学研究所 = Research Institute of Electronics >
21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10297/2810
Bookmark and Share

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
081117002.pdf510.54 kBAdobe PDFサムネイル
見る/開く

タイトル: 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_<1-x>結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
その他のタイトル: 25aB07 Growth of InAs_xSb_<1-x> by Hot Wall Epitaxy(NCCG-34)
著者: 早川, 泰弘
中村, 慎吾
小山, 忠信
熊川, 征司
Jayavel, Pachamuthu
掲載誌名: 日本結晶成長学会誌
出版者: 日本結晶成長学会
巻: 31
号: 3
開始ページ: 128
終了ページ: 128
出版日付: 2004-08-25
権利: (C)日本結晶成長学会
NDC: 549
ISSN: 03856275 OPAC
NII論文ID: 110007327547 ciniia
NII書誌ID: AN00188386 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

Google™ Scholar: Cited By - Related - Other Copies

Others By: 早川, 泰弘 (ハヤカワ, ヤスヒロ) (Hayakawa, Yasuhiro) -- 中村, 慎吾 (ナカムラ, シンゴ) (Nakamura, Shingo) -- 小山, 忠信 (コヤマ, タダノブ) (Koyama, Tadanobu) -- 熊川, 征司 (クマガワ, マサシ) (Kumagawa, Masashi) -- Jayavel, Pachamuthu

本リポジトリに登録されているコンテンツの著作権は,執筆者,出版社、学協会などが有します。著作権者はコンテンツにより異なります。
本リポジトリに登録されているコンテンツの利用については,著作権法に規定されている私的使用や引用などの範囲内で行ってください。
著作権に規定されている私的使用や引用などの範囲を超える利用を行う場合には,著作権者の許諾を得てください。ただし,著作権者から著作権等管理事業者(学術著作権協会,日本著作出版権管理システムなど)に権利委託されているコンテンツの利用手続については,各著作権等管理事業者に確認してください。

 

Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください