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タイトル: Fabrication Method of Sub-100 nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Thick Gate Oxide
著者: Singh, Vipul
Inokawa, Hiroshi
Endoh, Tetsuo
Satoh, Hiroaki
掲載誌名: Japanese Journal of Applied Physics
出版者: Japan Society of Applied Physics
巻: 49
号: 12
開始ページ: 128002-1
終了ページ: 128002-2
出版日付: 2010
権利: Copyright © 2010 The Japan Society of Applied Physics.
NDC: 549
ISSN: 00214922 OPAC
E-ISSN: 13474065 OPAC
出版者DOI: 10.1143/JJAP.49.128002   
NII論文ID: 150000053414 ciniia
NII書誌ID: AA00690800 OPAC ciniib
バージョン: author
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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