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タイトル: Effect of Substrate on Growth Mechanism of Flower Structured InN Fabricated by APHCVD
著者: Sakamoto, Naonori
Sugiura, Haruka
Fu, De Sheng
Wakiya, Naoki
Suzuki, Hisao
掲載誌名: Key Engineering Materials
出版者: Materials Science and Engineering
巻: 445
開始ページ: 209
終了ページ: 212
出版日付: 2010-07-26
NDC: 431
抄録: InN belongs to the III-group nitride materials and is known to have a low decomposition temperature which causes intractable grain growth compared to the other nitrides, GaN, AlN, etc. We prepared InNs with a flower-like shape as well as film structure by Atmospheric Pressure Halide CVD process, in which InN is synthesized by CVD under atmospheric pressure. In the present study, growth mechanisms of the flower structured InN prepared on Si(100) and a-plane sapphire substrates is reported.
ISSN: 10139826 OPAC
E-ISSN: 16629795 OPAC
出版者DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.445.209   
NII書誌ID: AA10697012 OPAC ciniib
関連リンク: http://www.scientific.net/KEM
バージョン: author
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Others By: Sakamoto, Naonori (坂元, 尚紀) (サカモト, ナオノリ) -- Sugiura, Haruka -- Fu, De Sheng (符, 徳勝) (フ, トクショウ) (Fu, Desheng) -- Wakiya, Naoki (脇谷, 尚樹) (ワキヤ, ナオキ) -- Suzuki, Hisao (鈴木, 久男) (スズキ, ヒサオ)

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