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タイトル: SOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor photon detector based on single-hole counting
著者: Du, Wei
Inokawa, Hiroshi
Satoh, Hiroaki
Ono, Atsushi
掲載誌名: Optics Letters
出版者: Optical Society of America
巻: 36
号: 15
開始ページ: 2800
終了ページ: 2802
出版日付: 2011-07-20
権利: © 2011 Optical Society of America
NDC: 549
抄録: In this Letter, a scaled-down silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is characterized as a photon detector, where photogenerated individual holes are trapped below the negatively biased gate and modulate stepwise the electron current flowing in the bottom channel induced by the positive substrate bias. The output waveforms exhibit clear separation of current levels corresponding to different numbers of trapped holes. Considering this capability of single-hole counting, a small dark count of less than 0.02 s−1 at room temperature, and low operation voltage of 1 V, SOI MOSFET could be a unique photon-number-resolving detector if the small quantum efficiency were improved.
ISSN: 01469592 OPAC
E-ISSN: 15394794 OPAC
出版者DOI: 10.1364/OL.36.002800   
NII書誌ID: AA00764838 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:21. 雑誌論文・記事(Journal Article, Article, Preprint)

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Others By: Du, Wei (ドゥ, ウェイ) (ドゥ, ウェイ) -- Inokawa, Hiroshi (猪川, 洋) (イノカワ, ヒロシ) -- Satoh, Hiroaki (佐藤, 弘明) (サトウ, ヒロアキ) -- Ono, Atsushi (小野, 篤史) (オノ, アツシ)

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