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静岡大学電子工学研究所研究報告 (1966-2003) >
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タイトル: SbSIの吸収端におよぼす電界および温度の効果
その他のタイトル: Effects of Electric Field and Temperature on the Absorption Edge of SbSI
著者: 石川, 賢司
田中, 良一
豊田, 耕一
掲載誌名: 静岡大学電子工学研究所研究報告
出版者: 静岡大学電子工学研究所
巻: 7
号: 1
開始ページ: 57
終了ページ: 65
出版日付: 1972-10-07
NDC: 428
ISSN: 02863383 OPAC
NII論文ID: 110007536137 ciniia
NII書誌ID: AN00103204 OPAC ciniib
バージョン: publisher
出現コレクション:1972 7(1)

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Others By: 石川, 賢司 (イシカワ, ケンジ) (Ishikawa, Kenji) -- 田中, 良一 -- 豊田, 耕一 (トヨダ, コウイチ) (Toyoda, Koichi)

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