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タイトル: Effects of gravity and orientation on the growth properties of InGaSb ternary alloy semiconductors : Experiments under microgravity on board the International Space Station and normal gravity on Earth
その他のタイトル: (InGaSb三元混晶半導体結晶成長特性に対する重力と結晶面方位効果 : 国際宇宙ステーション内微小重力環境下及び地上実験
著者: Velu, Nirmal Kumar
出版者: Shizuoka University
出版日付: 2016-06
NDC: 549
学位名: 博士(工学)
学位の区分: doctoral
学位の分野: 創造科学技術大学院
学位授与機関: 静岡大学
報告番号: 甲第925号
学位授与年月日: 2016-09-16
学位授与番号: 13801甲第925号
バージョン: ETD
出現コレクション:81. 博士論文(Doctoral thesis)

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